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Samsung MZ-VAP4T0B 4 To M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-VAP4T0B/AM

Samsung MZ-VAP4T0B 4 To M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-VAP4T0B/AM
Samsung
SKU :
MZ-VAP4T0B/AM - Samsung
Disponibilité :
Appelez/call 1-844-578-1008
$1,379.99
Largeur :
6.50 (pouces)
Hauteur :
3.90 (pouces)
Profondeur :
0.90 (pouces)

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Samsung MZ-VAP4T0B, 4 To, M.2, 14800 Mo/s

Caractéristiques

Caractéristiques
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)4 To
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 5.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourPC/ordinateur portable
Le chiffrement matérielOui
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture14800 Mo/s
Vitesse d'écriture13400 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)2200000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)2600000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h

 

Puissance
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique moyenne (lecture)9 W
Consommation électrique moyenne (écriture)8,2 W

 

Poids et dimensions
Largeur80,2 mm
Profondeur2,38 mm
Hauteur22,1 mm
Poids9 g

 

Informations sur l'emballage
Type d'emballageBoîte

 

Conditions environnementales
Température d'opération0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement1500 G

 

Autres caractéristiques
Période de garantie5 année(s)

 

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