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Samsung 990 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND - MZ-V9V1T0B/AM

Samsung 990 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND - MZ-V9V1T0B/AM
Samsung
SKU :
MZ-V9V1T0B/AM - Samsung
Disponibilité :
Appelez/call 1-844-578-1008
$367.99
Largeur :
3.86 (pouces)
Hauteur :
0.87 (pouces)
Profondeur :
5.63 (pouces)

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Samsung 990, 1 To, M.2, 7150 Mo/s

Caractéristiques

Caractéristiques
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES, TCG Opal 2.0
Capacité du Solid State Drive (SSD)1 To
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND
composant pourPC
Le chiffrement matérielOui
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture7150 Mo/s
Vitesse d'écriture6450 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)700000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)1100000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Expressx4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Révision CEM PCI Express4.0
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h

 

Puissance
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique (Lecture)4 W
Consommation électrique (Ecriture)3,7 W
Consommation électrique (idle)0,055 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)3 mW

 

Conditions environnementales
Choc durant le fonctionnement1500 G

 

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